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  1. Sep 10, 2024進入 2 奈米以下埃米時代後,ASML 高數值孔徑極紫外光 (High-NA EUV) 曝光機就成為先進製程半導體廠的關鍵。英特爾 4 月宣佈業界首套 High-NA EUV 組裝完成後,台積電月底也會引進首套 High-NA EUV,較外界猜測年底提前一季,也超車很想搶在台積電前面的三星。 台積電...
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  3. knews.com.tw

    Sep 6, 2024High NA EUV(0.55 NA)將與現行的 EUV(0.33 NA)在設計方面有通用性,可降低客戶的導入風險和研發成本。」 High NA EUV 微影系統已於去年底開始陸續出貨,產能預計每小時可曝光超過185 片晶圓,將支援 2 奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產。
  4. Sep 10, 2024ASML首席财务官Roger Dassen也证实,两大客户台积电和英特尔年底都会收到High-NA EUV。 外媒报道,ASML发言人Monique Mols说,年底交货的High-NA EUV每套3.8亿美元 。最新消息指出,台积电首套High NA EUV买价远低于定价。 能让龙头ASML也给折扣的主因,外界推测还是数量。
  5. knews.com.tw

    Nov 1, 2024這些設備被稱為高數值孔徑極紫外光刻機(High NA EUV),是全球最昂貴的製造設備之一,每台售價約3.5億美元(約112億台幣),相當於3架F-35戰鬥機的成本。 台積電、英特爾及三星是全球僅存仍在競爭生產更小、更強大半導體的製造商,他們都高度依賴ASML的設備。
  6. Nov 4, 2024日經亞洲的報導,全球最大半導體製造商台積電 (TSMC) 年底前會收到 ASML 最先進微影曝光機。高數值孔徑極紫外 (High NA EUV) 微影曝光機每台售價超過 3.5 億美元,能使半導體製造商製造電晶體線寬更小的晶片。 台積電考慮用 High NA EUV 微影曝光機生產 A10 製程晶片...
  7. ec.ltn.com.tw

    Nov 18, 2024採用高na euv對於台積電開發2奈米製程至關重要。(路透資料照) 吳孟峰/核稿編輯 〔財經頻道/綜合報導〕外媒techspot報導,台積電透過高數值孔徑極紫外(high na euv)微影曝光機投資,已經為下一代晶片製造做好準備,並持續保持業界領先地位。
  8. Aug 16, 2024asml 之前證實台積電年底導入 high-na euv,三星和 sk 海力士要到 2025 年,最快 2025 下半年。 依市場消息看,三星有機會比台積電早拿到 High-NA EUV。 High-NA EUV 是高數值孔徑新產品,每小時生產超過 200 片晶圓,製造 3 奈米節點以下晶片。
  9. finance.technews.tw

    Sep 11, 2024韓國媒體 BusinessKorea 引述台灣媒體的報導指出,晶圓代工龍頭台積電將於 9 月底從荷蘭 ASML 公司接收第一套 High-NA EUV 曝光機──EXE:5000,這對對於全球領先台積電來說是一個重要的里程碑,但是對競爭對手三星來說,無疑地將拉大兩家公司的競爭差距。 最初台積電對於早...
  10. techbang.com

    Nov 6, 2024台積電將在 2024 年底之前從 ASML 接收首批高數值孔徑極紫外 (High NA EUV) 微影曝光機,這代表台積電將轉向下一代製程技術。 雖然一開始有消息傳出台積電並沒有購買 ASML High-NA EUV曝光機的計畫,主要原因是在台積電的台灣工廠整合裝置和安置機器的相關成本較高。
  11. ec.ltn.com.tw

    Sep 10, 2024業界表示,High NA EUV設備體積龐大,目前還在研究如何運輸到台灣與竹科廠區,包括進入園區高速公路怎麼走,這個都要深入研究。 艾司摩爾(ASML)產品管理副總裁Greet Storms上周指出,該公司現在的EUV客戶都已有下訂單,採購High NA EUV設備,該公司將與客戶緊密 ...

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